Пеностекло на стройках Москвы и Московской области

Сведения об изменении области стеклообразования

В работе С. Г. Тресвятского отмечается, что добавки окислов трехвалентных силикатов тормозят кристаллизацию пеностекла. По данным Ф. Шилла , замена 1—2 мол.% Si02 на окись алюминия снижает склонность стекла к кристаллизации, сдвигает максимум кристаллизации в область более высоких температур. Сведения об изменении области стеклообразования и кристаллизации в системе S1O2—AI2O3—СаО—ЫагО в зависимости от количественного изменения окислов приводятся и в других работах.

При рассмотрении вопроса о минимальном количестве щелочей следует учитывать, что №гО, введенная взамен двуокиси кремния или окислов двухвалентных металлов, снижает склонность к кристаллизации обычных силикатных стекол с низким содержанием одновалентных окислов.

Следует заметить, что в литературе еще мало данных о влиянии окислов на свойства стекол в диапазоне параметров формирования структуры пеностекла, т. е. в интервале температур 750—850 °С и вязкости 105—107 пз., Появление в стекле кристаллической фазы при постоянных температурных условиях изменяет величины вязкости и поверхностного натяжения, т. е. те факторы, которые наиболее весомо влияют на процесс формирования структуры пеностекла. Исследование природы кристаллов и скорости кристаллизации порошкообразных стекол в момент вспенивания позволило, определить влияние характера кристаллизации на структуру пеностекла и изменение его физических свойств. Известно, например, что крупные неравномерные кристаллы ухудшают вспенивание или даже препятствуют получению пеностекла.

Наблюдения показывают, что водопоглощение — одно из важнейших свойств пеностекла — увеличивается по мере приближения температуры кристаллизации к температуре вспенивания. Если рассматривать кристаллизацию применительно к поли-диоперсным средам, представителем которых является смесь молотого стекла и газообразователя, следует учитывать два фактора: во-первых, чрезвычайно большую удельную поверхность, в результате чего может происходить гетерогенное образование центров кристаллизации, во-вторых, размер кристаллов, которые могут расти, ограничивается размером частиц самой среды. В этом случае скорость образования центров кристаллизации оказывается меньшей, чем скорость роста кристаллов, необходимая для заполнения небольших частиц. Следовательно, общая скорость процесса будет определяться главным образом скоростью образования центров кристаллизации, причем последняя будет пропорциональна объему основного материала, имеющегося в системе.

О большой роли поверхности среды на кристаллизацию указывают П. Макмиллан, У. Кингери, Ф. Шилл, Р. Л. Шустер и Л. К. Ковалев, С. Т. Сулейменов, Э. Щульц, И. И. Китайгородский и Т. Л. Ширкевич, Н. М. Павлушкин и др. По данным Л. А. Жунинов, процесс кристаллизации в основном начинается с поверхности. Ф. Шилл предполагает, что причину ускорения кристаллизации на поверхности частичек стекла можно объяснить отличием химического состава поверхности частиц от ее основной массы. Автор также предполагает, что кристаллизация с поверхности может начинаться из-за наличия дефектов механического происхождения на поверхности самих частичек стекла, образовавшихся при измельчении материала в шаровой мельнице.


Возврат к списку